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            協(xié)昌科技成功登陸深交所創(chuàng)業(yè)板


            (資料圖)

            2023年8月21日,江蘇協(xié)昌電子科技股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“協(xié)昌科技”)公開發(fā)行A股(股票代碼:301418;股票簡(jiǎn)稱:協(xié)昌科技),并在深交所創(chuàng)業(yè)板成功上市。

            招股書顯示,協(xié)昌科技主要從事運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品、功率芯片的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。其產(chǎn)品較為集中的用在電動(dòng)車領(lǐng)域。在此領(lǐng)域具有較高的技術(shù)優(yōu)勢(shì)和客戶優(yōu)勢(shì),具有較強(qiáng)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

            具體來看,協(xié)昌科技運(yùn)動(dòng)控制器的下游客戶主要以大中型電動(dòng)車整車廠商為主,該等客戶的終端產(chǎn)品市場(chǎng)定位注重品牌形象、對(duì)運(yùn)動(dòng)控制器品質(zhì)要求較高,公司對(duì)上述客戶的業(yè)務(wù)規(guī)模持續(xù)增長(zhǎng)。經(jīng)相關(guān)數(shù)據(jù)顯示,公司憑借可靠的產(chǎn)品質(zhì)量及積極的市場(chǎng)開拓,在下游電動(dòng)車領(lǐng)域的業(yè)務(wù)規(guī)模整體持續(xù)擴(kuò)張,市場(chǎng)占有率較為穩(wěn)定。

            在技術(shù)層面,協(xié)昌科技致力于“軟件+硬件”兩方面建立和鞏固技術(shù)優(yōu)勢(shì),軟件方面,公司自主研發(fā)并推出了矢量變頻控制方案、應(yīng)用Q軸非對(duì)稱注入算法的無霍爾電機(jī)控制方案等多種控制方案,控制信號(hào)輸出較為穩(wěn)定、運(yùn)行效率較高,有效降低運(yùn)行噪音和性能損耗;硬件方面,公司深入MCU參數(shù)定義、電子線路布圖及應(yīng)用功能拓展等方面的研究,自主研發(fā)并形成了大電流電子線路布線、MOSFET并聯(lián)均流等核心技術(shù),有效提升產(chǎn)品性能及穩(wěn)定性。

            據(jù)公司介紹,功率芯片行業(yè)市場(chǎng)容量巨大,業(yè)內(nèi)企業(yè)眾多,競(jìng)爭(zhēng)壓力大,國(guó)際廠商憑借長(zhǎng)期積累的規(guī)模優(yōu)勢(shì),形成了“大而全”的產(chǎn)品業(yè)務(wù)線,然而,隨著國(guó)內(nèi)技術(shù)水平的升級(jí),一部分國(guó)內(nèi)企業(yè)專注于特定專業(yè)領(lǐng)域的研發(fā)設(shè)計(jì),逐步形成了“小而精”的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì),并不斷推動(dòng)國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)口的行業(yè)趨勢(shì)。

            協(xié)昌科技以子公司凱思半導(dǎo)體作為功率芯片業(yè)務(wù)經(jīng)營(yíng)主體,憑借現(xiàn)金的研發(fā)技術(shù)和銷售經(jīng)驗(yàn),逐步開發(fā)并建立了溝槽型MOSFET(Trench-MOSFET)屏蔽柵溝槽型MOSFET(SGT-MOSFET)、超結(jié)MOSFET(SJ-MOSFET)等產(chǎn)品線,形成了具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的核心技術(shù)體系。公司功率芯片先后被評(píng)為蘇州市高品質(zhì)微控制器及功率器件工程技術(shù)研究中心、江蘇省功率半導(dǎo)體器件(MOSFET)工程技術(shù)研究中心,此外,近年來公司功率芯片產(chǎn)品取得了諸多技術(shù)水平方面相關(guān)認(rèn)證。

            截至目前,協(xié)昌科技已取得250項(xiàng)專利,其中發(fā)明專利12項(xiàng),實(shí)用新型專利93項(xiàng)。擁有15項(xiàng)軟件著作權(quán)。憑借強(qiáng)大的技術(shù)優(yōu)勢(shì),公司已與雅迪集團(tuán)、綠源集團(tuán)、愛瑪集團(tuán)等諸多國(guó)內(nèi)一線電動(dòng)車廠商建立了良好持續(xù)的合作關(guān)系,擁有較強(qiáng)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

            據(jù)了解,目前協(xié)昌科技正積極籌備深溝槽柵極型超結(jié)功率MOSFET研發(fā)、內(nèi)置快恢復(fù)二極管的超結(jié)功率MOSFET研發(fā)、基于SGT架構(gòu)的新型IGBT芯片研發(fā)等一系列具有前瞻性的研發(fā)項(xiàng)目開展,不斷提高自身的核心競(jìng)爭(zhēng)力,鞏固并提高現(xiàn)有的市場(chǎng)地位,推動(dòng)高端功率芯片的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程。新增生產(chǎn)線成為公司發(fā)展亟待解決的問題,協(xié)昌科技本次募集資金投資項(xiàng)目的總投資額預(yù)計(jì)為億元,主要投向的項(xiàng)目包括運(yùn)動(dòng)控制器生產(chǎn)基地建設(shè)項(xiàng)目、功率芯片封裝測(cè)試生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目、功率芯片研發(fā)升級(jí)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目等。

            協(xié)昌科技表示,未來將始終堅(jiān)持以市場(chǎng)需求為研發(fā)導(dǎo)向,技術(shù)創(chuàng)新為核心驅(qū)動(dòng),致力于成為國(guó)內(nèi)頂尖、國(guó)際先進(jìn)的功率芯片研發(fā)及運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品應(yīng)用企業(yè)。

            (文章來源:證券日?qǐng)?bào))

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